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IRF8721GPbF
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
16
12
8
ID= 11A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
Crss
4
100
1
10
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
5 10 15 20
Qg, Total Gate Charge (nC)
25
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
TJ = 150°C
10
1msec
10msec
1
0.1
TJ = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
10
100
4
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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IRF8736TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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